本文摘要：近年来，微纳米科学技术发展很快，在产业化方面早已获得了不少进展。

近年来，微纳米科学技术发展很快，在产业化方面早已获得了不少进展。然而，构建高密度、规模化微纳米结构的批量操控是构建芯片器件极具挑战性的关键因素之一。众所周知，利用光镊技术可以构建单个的微纳米结构操控，然而大面积阵列的操控是耗时的。构建芯片内高密度、规模化一维微纳米阵列特定对准倾向生产是器件构建至关重要的挑战。

氧化锌(ZnO)作为一维微纳米结构家族中伟大的一员，是一种必要宽带隙（3.3eV）半导体，其激子束缚能为60meV。它可应用于激光升空单元，场发射晶体管，光子探测器和发电机。氧化锌微纳米结构在室温下可以用于高效平稳的激子紫外（UV）电磁辐射材料。

直到现在，有少量的研究报导：通过限域生长、运送气体的流动等可实现水平排序的微米纳米结构阵列的制取。然而，目前还没研究报告可实现p型氮化镓（GaN）上大面积ZnO微阵列在水平面内原作方向、周期性产于的操控，并利用微米结构研发芯片内LED器件的潜在的功能。　　中国科学院苏州生物医学工程技术研究所医用微纳技术研究室郭振博士明确提出了一种新的方法：通过辨别技术取得了在p-GaN层大面积水平排序、周期性产于的ZnOmicrorod阵列（单个ZnO微米篮的直径为2m），构建了bottomup方法制取的ZnO微米棒阵列从横向到水平倾向的改变，在水平面内构建了水平排序的ZnO微米阵列倾向调制（=90或者45），取得了低密度水平排序的ZnO微米棒：其倾向偏差角在0.3到2.3之间。

利用氧化锌的压电和长能带隙半导体特性，生产了横向和水平排序ZnOmicrorod/p-GaN异质结发光二极管，取得了点和线状LED闪烁图像。通过研究材料的压电特性构建了LED升空颜色从紫外-蓝色到黄绿色的调制。

其研究为构建芯片内大面积阵列化LED或者其他光电器件的构建生产明确提出了一种新的方法。

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